Полупроводниковый лазер излучает за счет квантовых p-n—переходов между зоной проводимости (p) и валентной зоной (n). Излучающая область лазера исключительно мала — порядка 10-11 сантиметра (длина около 1 мм, толщина порядка 2 мкм), но энергия излучения достигает 10 Вт. Наиболее распространенным материалом для этих лазеров служит арсенид галлия GaAs. Первый полупроводниковый лазер построил американский физик Р. Холл в 1962 году.

Пока они более дороги, но зато в системе нет высоких напряжений, ресурс диодных линеек существенно выше ресурса газоразрядной лампы, и лазеры лучше управляются от электронных систем.

Параметрический лазер работает за счет преобразования мощной световой волны одной частоты, проходящей через нелинейный кристалл, в излучение меньших частот. Кристалл помещен между зеркалами, играющими роль резонатора. Меняя расстояние между зеркалами, можно при постоянной длине волны накачки менять частоту лазерного излучения в широких пределах.

Первые параметрические лазеры были созданы в 1965 году одновременно Дж. Джодмейкером и Р. Миллером (США), С. А. Ахмановым и Р. В. Хохловым (СССР).

Жидкостные лазеры работают на растворах органических красителей и на неорганических жидкостях, налитых в кювету. Они способны перестраивать длину волны излучения в широких пределах и могут работать как в непрерывном, так и в импульсном режиме.

Нагревающаяся в процессе работы жидкость прокачивается через холодильник. Накачка производится либо мощными лампами, либо лазерным излучением.

Лазеры на неорганических жидкостях по своим параметрам сходны с твердотельными лазерами. Первый лазер на красителях был построен в 1966 году.